IRF630NPBF

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.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB

Número de pieza NOVA:

312-2280765-IRF630NPBF

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IRF630NPBF

Embalaje estándar:

100

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220AB
Número de producto base	IRF630
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	HEXFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	9.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	300mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-220-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	575 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	82W (Tc)
Otros nombres	*IRF630NPBF SP001564792