BSC030N03MSGATMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-1
Número de producto base	BSC030
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	21A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	73 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	5700 pF @ 15 V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta), 69W (Tc)
Otros nombres	BSC030N03MSG+F30INCT-ND BSC030N03MSG+F30INTR BSC030N03MSG+F30INTR-ND BSC030N03MSGATMA1DKR-NDTR-ND BSC030N03MSGINTR-ND BSC030N03MSG+F30INDKR BSC030N03MSGATMA1CT BSC030N03MSGINTR BSC030N03MSG+F30 BSC030N03MSGINDKR-ND BSC030N03MSGINCT-ND BSC030N03MSGINDKR BSC030N03MSG+F30INDKR-ND BSC030N03MSG BSC030N03MSGXT BSC030N03MSGATMA1CT-NDTR-ND SP000311506 BSC030N03MSG+F30INCT BSC030N03MSGATMA1DKR BSC030N03MSGATMA1TR BSC030N03MSGINCT BSC030N03MS G

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