NVMTS4D3N15MC
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00
Número de pieza NOVA:
312-2298812-NVMTS4D3N15MC
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NVMTS4D3N15MC
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 150 V 21A (Ta), 165A (Tc) 5W (Ta), 292W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-DFNW (8.3x8.4) | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 165A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 4.45mOhm @ 95A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.5V @ 521µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 79 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 150 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6514 pF @ 75 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 5W (Ta), 292W (Tc) | |
| Otros nombres | 488-NVMTS4D3N15MCTR 488-NVMTS4D3N15MCDKR 488-NVMTS4D3N15MCCT |
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