IXFX32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
Número de pieza NOVA:
312-2313468-IXFX32N100Q3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IXFX32N100Q3
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 1000 V 32A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PLUS247™-3 | |
| Número de producto base | IXFX32 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HiPerFET™, Q3 Class | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 32A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 16A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 6.5V @ 8mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 195 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1000 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9940 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1250W (Tc) | |
| Otros nombres | -IXFX32N100Q3 |
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