FQU8P10TU
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Número de pieza NOVA:
312-2279377-FQU8P10TU
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
FQU8P10TU
Embalaje estándar:
5,040
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Through Hole I-PAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | I-PAK | |
| Número de producto base | FQU8P10 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | QFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 6.6A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 3.3A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 470 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) | |
| Otros nombres | FQU8P10TU-ND FQU8P10TUOS ONSONSFQU8P10TU 2156-FQU8P10TU-OS |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IRF9510PBFVishay Siliconix
TSM680P06CH X0GTaiwan Semiconductor Corporation
FQU11P06TUonsemi
FQP3P20onsemi