NVR4501NT1G
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Número de pieza NOVA:
312-2285035-NVR4501NT1G
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NVR4501NT1G
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 20 V 3.2A (Ta) 1.25W (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Número de producto base | NVR4501 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 3.6A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 6 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 200 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.25W (Tj) | |
| Otros nombres | NVR4501NT1GOSDKR NVR4501NT1GOSTR NVR4501NT1G-ND NVR4501NT1GOSCT |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
SQ2389ES-T1_GE3Vishay Siliconix
PMEG45A10EPDZNexperia USA Inc.
BQ29729DSETTexas Instruments
MCP73831T-2ACI/MCMicrochip Technology
MTSM5015-844-IRMarktech Optoelectronics
BVSS138LT1Gonsemi
LBEE5PA1LD-005Murata Electronics- SI2302-TPMicro Commercial Co
AO3400AAlpha & Omega Semiconductor Inc.
LC709204FXE-01TBGonsemi
NTLUS3A18PZTAGonsemi
NTR4501NT1Gonsemi
