2SK2009TE85LF
MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
Número de pieza NOVA:
312-2285062-2SK2009TE85LF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
2SK2009TE85LF
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 30 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SC-59-3 | |
| Número de producto base | 2SK2009 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 50MA, 2.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.5V @ 100µA | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 70 pF @ 3 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 200mW (Ta) | |
| Otros nombres | 2SK2009TE85LFCT 2SK2009 (TE85L,F) 2SK2009(TE85L,F) 2SK2009TE85LFTR 2SK2009TE85LFDKR |
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