IXFN360N10T
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Número de pieza NOVA:
312-2283926-IXFN360N10T
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IXFN360N10T
Embalaje estándar:
10
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 360A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Chassis Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-227B | |
| Número de producto base | IXFN360 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HiPerFET™, Trench | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 360A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 180A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 505 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SOT-227-4, miniBLOC | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 36000 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 830W (Tc) |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IXFK360N15T2IXYS
VS-FC270SA20Vishay General Semiconductor - Diodes Division
IXTN600N04T2IXYS- IXTN400N15X4IXYS
VS-FC420SA10Vishay General Semiconductor - Diodes Division- IXFN420N10TIXYS
- VS-FC420SA15Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- IXFN300N20X3IXYS
- IXFK360N10TIXYS
- IXTN660N04T4IXYS
- IXFN200N10PIXYS
- IXFN520N075T2IXYS