TK39N60W5,S1VF
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Número de pieza NOVA:
312-2283652-TK39N60W5,S1VF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TK39N60W5,S1VF
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 | |
| Número de producto base | TK39N60 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 38.8A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 19.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.5V @ 1.9mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4100 pF @ 300 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 270W (Tc) | |
| Otros nombres | TK39N60W5S1VF TK39N60W5,S1VF(S |
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