IPD122N10N3GATMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Número de producto base	IPD122
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	59A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	12.2mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.5V @ 46µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2500 pF @ 50 V
Disipación de energía (máx.)	94W (Tc)
Otros nombres	IPD122N10N3GATMA1DKR IPD122N10N3GATMA1TR SP001127828 IPD122N10N3GATMA1CT

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