FDD2670
MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
Número de pieza NOVA:
312-2273458-FDD2670
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
FDD2670
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 200 V 3.6A (Ta) 3.2W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-252AA | |
| Número de producto base | FDD267 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | PowerTrench® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 3.6A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3.6A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 43 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1228 pF @ 100 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.2W (Ta), 70W (Tc) | |
| Otros nombres | FDD2670TR FDD2670DKR FDD2670CT FDD2670-ND |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
STD20NF20STMicroelectronics- STD25NF20STMicroelectronics
FQD18N20V2TMonsemi
