SIR632DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Número de pieza NOVA:
312-2287903-SIR632DP-T1-RE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SIR632DP-T1-RE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 150 V 29A (Tc) 69.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 | |
| Número de producto base | SIR632 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | ThunderFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 29A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 34.5mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 17 nC @ 7.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 150 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 740 pF @ 75 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 69.5W (Tc) | |
| Otros nombres | SIR632DP-T1-RE3TR SIR632DP-T1-RE3CT SIR632DP-T1-RE3DKR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
CSD19534Q5ATexas Instruments
SI34061-A-GMSkyworks Solutions Inc.
SQJ476EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SIR622DP-T1-GE3Vishay Siliconix
LDC1612DNTTTexas Instruments
PDS5100-13Diodes Incorporated
