IXTQ82N25P
MOSFET N-CH 250V 82A TO3P
Número de pieza NOVA:
312-2278823-IXTQ82N25P
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IXTQ82N25P
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 250 V 82A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-3P | |
| Número de producto base | IXTQ82 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Polar | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 82A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 41A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 142 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 250 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4800 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 500W (Tc) |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IXTQ69N30PIXYS
FDA59N30onsemi- IXTQ100N25PIXYS
IXFK94N50P2IXYS- IXTK82N25PIXYS