BSC028N06NSSCATMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-7
Número de producto base	BSC028
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.3V @ 50µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	49 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3375 pF @ 30 V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta), 83W (Tc)
Otros nombres	448-BSC028N06NSSCATMA1DKR SP005348853 448-BSC028N06NSSCATMA1TR 448-BSC028N06NSSCATMA1CT

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