STH315N10F7-6
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Número de pieza NOVA:
312-2289009-STH315N10F7-6
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
STH315N10F7-6
Embalaje estándar:
1,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | H2PAK-6 | |
| Número de producto base | STH315 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 180A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 60A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 12800 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 315W (Tc) | |
| Otros nombres | 497-14719-2 497-14719-1 497-14719-6 |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
STH310N10F7-6STMicroelectronics
SQJQ480E-T1_GE3Vishay Siliconix
FDB1D7N10CL7onsemi
IPB017N10N5LFATMA1Infineon Technologies- IPB025N10N3GATMA1Infineon Technologies
- IPB180N10S402ATMA1Infineon Technologies
