IRFHS9301TRPBF
MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Número de pieza NOVA:
312-2287759-IRFHS9301TRPBF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRFHS9301TRPBF
Embalaje estándar:
4,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 30 V 6A (Ta), 13A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-PQFN (2x2) | |
| Número de producto base | IRFHS9301 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 6A (Ta), 13A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 7.8A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.4V @ 25µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 6-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 580 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.1W (Ta) | |
| Otros nombres | IRFHS9301TRPBFDKR IRFHS9301TRPBFTR SP001556616 IRFHS9301TRPBFCT IRFHS9301TRPBF-ND |
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