FQP9N90C
MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
Número de pieza NOVA:
312-2264456-FQP9N90C
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
FQP9N90C
Embalaje estándar:
1,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 900 V 8A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220-3 | |
| Número de producto base | FQP9 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | QFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 58 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 900 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2730 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 205W (Tc) | |
| Otros nombres | FAIFSCFQP9N90C FQP9N90COS FQP9N90C-ND FQP9N90CFS-ND 2156-FQP9N90C-OS FQP9N90CFS |
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