DN3765K4-G

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MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3

Número de pieza NOVA:

312-2264345-DN3765K4-G

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

DN3765K4-G

Embalaje estándar:

2,000

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 650 V 300mA (Tj) 2.5W (Ta) Surface Mount TO-252-3

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Microchip Technology
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-252-3
Número de producto base	DN3765
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	300mA (Tj)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	0V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	8Ohm @ 150mA, 0V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	-
Función FET	Depletion Mode
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	825 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta)
Otros nombres	DN3765K4-GTR DN3765K4-GDKR DN3765K4-GCT DN3765K4-G-ND