IPB057N06NATMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO263-3
Número de producto base	IPB057
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	17A (Ta), 45A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	5.7mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.8V @ 36µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	27 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2000 pF @ 30 V
Disipación de energía (máx.)	3W (Ta), 83W (Tc)
Otros nombres	IPB057N06N-ND IPB057N06NATMA1DKR IPB057N06NCT IPB057N06NDKR-ND IPB057N06NATMA1CT IPB057N06N IPB057N06NDKR IPB057N06NATMA1TR IPB057N06NCT-ND IPB057N06NTR-ND SP000962140 IPB057N06NTR

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