PSMN012-60YS,115
MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
Número de pieza NOVA:
312-2287738-PSMN012-60YS,115
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
PSMN012-60YS,115
Embalaje estándar:
1,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 60 V 59A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Número de producto base | PSMN012 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 59A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 11.1mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 28.4 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1685 pF @ 30 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 89W (Tc) | |
| Otros nombres | 568-4977-1-ND 1727-4288-6 568-4977-6 568-4977-2-ND 568-4977-2 568-4977-1 568-4977-6-ND 934064401115 1727-4288-2 1727-4288-1 |
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