ISC0802NLSATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Número de pieza NOVA:
312-2297500-ISC0802NLSATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
ISC0802NLSATMA1
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 22A (Ta), 150A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8-7 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ 5 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 150A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.3V @ 92µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 73 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5190 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) | |
| Otros nombres | 448-ISC0802NLSATMA1CT 448-ISC0802NLSATMA1TR SP005430372 448-ISC0802NLSATMA1DKR |
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