IRFS7530TRLPBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Número de pieza NOVA:
312-2283063-IRFS7530TRLPBF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRFS7530TRLPBF
Embalaje estándar:
800
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) | |
| Número de producto base | IRFS7530 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 195A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.7V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 411 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 13703 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 375W (Tc) | |
| Otros nombres | IRFS7530TRLPBFTR IRFS7530TRLPBFCT IRFS7530TRLPBF-ND SP001567992 IRFS7530TRLPBFDKR |
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