IPD80R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO252
Número de pieza NOVA:
312-2288682-IPD80R450P7ATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPD80R450P7ATMA1
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 73W (Tc) Surface Mount PG-TO252-2
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-2 | |
| Número de producto base | IPD80R450 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 220µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| Función FET | Super Junction | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 800 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 770 pF @ 500 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 73W (Tc) | |
| Otros nombres | IPD80R450P7ATMA1DKR IPD80R450P7ATMA1TR SP001422626 IPD80R450P7ATMA1CT |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IPD80R360P7ATMA1Infineon Technologies
TSX3702IDTSTMicroelectronics
NCV317LBDR2Gonsemi
IPD80R280P7ATMA1Infineon Technologies
