BSC011N03LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Número de pieza NOVA:
312-2281091-BSC011N03LSATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BSC011N03LSATMA1
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 30 V 37A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8-1 | |
| Número de producto base | BSC011 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 37A (Ta), 100A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4700 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) | |
| Otros nombres | BSC011N03LSATMA1DKR BSC011N03LSDKR-ND BSC011N03LSATMA1CT BSC011N03LSDKR BSC011N03LSATMA1TR BSC011N03LSTR SP000799082 BSC011N03LS BSC011N03LSTR-ND BSC011N03LSCT-ND BSC011N03LSCT |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
BSC030N03LSGATMA1Infineon Technologies- BSC031N06NS3GATMA1Infineon Technologies
IRLML2502TRPBFInfineon Technologies
VS-12CWQ10FNTR-M3Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BSC011N03LSTATMA1Infineon Technologies
NSR0320MW2T1Gonsemi- BSC020N03LSGATMA1Infineon Technologies
BSC011N03LSIATMA1Infineon Technologies- BAT54HT1Gonsemi
