IPD25N06S4L30ATMA2

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3-11
Número de producto base	IPD25N06
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	30mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.2V @ 8µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	16.3 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±16V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1220 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	29W (Tc)
Otros nombres	IPD25N06S4L30ATMA2TR IPD25N06S4L30ATMA2-ND 2156-IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2DKR SP001028636 IPD25N06S4L30ATMA2CT IFEINFIPD25N06S4L30ATMA2

In stock Por favor contáctenos

?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

?Encontramos otros productos que te pueden gustar!