IPW60R041P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Número de pieza NOVA:
312-2293464-IPW60R041P6FKSA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPW60R041P6FKSA1
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 600 V 77.5A (Tc) 481W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO247-3 | |
| Número de producto base | IPW60R041 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ P6 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 77.5A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 35.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.5V @ 2.96mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 170 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8180 pF @ 100 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 481W (Tc) | |
| Otros nombres | IPW60R041P6FKSA1-5 SP001091630 |
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