TK32A12N1,S4X
MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
Número de pieza NOVA:
312-2292618-TK32A12N1,S4X
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TK32A12N1,S4X
Embalaje estándar:
50
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 120 V 32A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220SIS | |
| Número de producto base | TK32A12 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 32A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 13.8mOhm @ 16A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 500µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 120 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2000 pF @ 60 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 30W (Tc) | |
| Otros nombres | TK32A12N1S4X TK32A12N1,S4X(S TK32A12N1,S4X-ND |
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