IXTH34N65X2
MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Número de pieza NOVA:
312-2275543-IXTH34N65X2
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IXTH34N65X2
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 (IXTH) | |
| Número de producto base | IXTH34 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Ultra X2 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 34A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 17A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.5V @ 4mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 53 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3120 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 540W (Tc) |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IXFH22N65X2IXYS- IXFH34N65X2IXYS