IPB049N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Número de pieza NOVA:
312-2297565-IPB049N08N5ATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPB049N08N5ATMA1
Embalaje estándar:
1,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-3 | |
| Número de producto base | IPB049 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.8V @ 66µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 53 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 80 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3770 pF @ 40 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 125W (Tc) | |
| Otros nombres | 2156-IPB049N08N5ATMA1 448-IPB049N08N5ATMA1CT 448-IPB049N08N5ATMA1TR IPB049N08N5ATMA1-ND INFINFIPB049N08N5ATMA1 SP001227052 448-IPB049N08N5ATMA1DKR |
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