IXFT320N10T2
MOSFET N-CH 100V 320A TO268
Número de pieza NOVA:
312-2312292-IXFT320N10T2
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IXFT320N10T2
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 320A (Tc) 1000W (Tc) Surface Mount TO-268AA
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-268AA | |
| Número de producto base | IXFT320 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HiPerFET™, TrenchT2™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 320A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 430 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 26000 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1000W (Tc) | |
| Otros nombres | -IXFT320N10T2 |
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