BSS215PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
Número de pieza NOVA:
312-2284823-BSS215PH6327XTSA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BSS215PH6327XTSA1
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-SOT23 | |
| Número de producto base | BSS215 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.2V @ 11µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 3.6 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 346 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 500mW (Ta) | |
| Otros nombres | BSS215P H6327DKR-ND BSS215P H6327CT BSS215P H6327-ND BSS215P H6327TR-ND BSS215PH6327XTSA1TR SP000928938 BSS215P H6327CT-ND BSS215PH6327XTSA1DKR BSS215P H6327 BSS215P H6327DKR BSS215PH6327 BSS215PH6327XTSA1CT |
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