FQD2N90TM
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Número de pieza NOVA:
312-2263577-FQD2N90TM
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
FQD2N90TM
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-252AA | |
| Número de producto base | FQD2N90 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | QFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 7.2Ohm @ 850mA, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 900 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 500 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | |
| Otros nombres | FQD2N90TMTR FQD2N90TM-ND FQD2N90TMCT FQD2N90TMDKR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IPD95R2K0P7ATMA1Infineon Technologies
STD3NK90ZT4STMicroelectronics- STD4N90K5STMicroelectronics
