TPC8129,LQ(S
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Número de pieza NOVA:
312-2300768-TPC8129,LQ(S
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TPC8129,LQ(S
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 30 V 9A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOP | |
| Número de producto base | TPC8129 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVI | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 9A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 200µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 39 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | +20V, -25V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1650 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1W (Ta) | |
| Otros nombres | TPC8129LQ(S TPC8129LQS |
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