IXFH26N100X
MOSFET N-CH 1000V 26A TO247
Número de pieza NOVA:
312-2265411-IXFH26N100X
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IXFH26N100X
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 1000 V 26A (Tc) 860W (Tc) Through Hole TO-247
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 | |
| Número de producto base | IXFH26 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HiPerFET™, Ultra X | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 26A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 6V @ 4mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 113 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1000 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3290 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 860W (Tc) |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IXFH32N100XIXYS