IXTH3N200P3HV

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MOSFET N-CH 2000V 3A TO247

Número de pieza NOVA:

312-2273497-IXTH3N200P3HV

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IXTH3N200P3HV

Embalaje estándar:

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 2000 V 3A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	IXYS
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247 (IXTH)
Número de producto base	IXTH3
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Polar P3™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	8Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-247-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	2000 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1860 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	520W (Tc)
Otros nombres	-IXTH3N200P3HV