IQE013N04LM6ATMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TSON-8-4
Número de producto base	IQE013
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	1.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2V @ 51µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3900 pF @ 20 V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta), 107W (Tc)
Otros nombres	448-IQE013N04LM6ATMA1CT 448-IQE013N04LM6ATMA1TR 448-IQE013N04LM6ATMA1DKR SP005340902

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