IRFHM3911TRPBF
MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Número de pieza NOVA:
312-2285416-IRFHM3911TRPBF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRFHM3911TRPBF
Embalaje estándar:
4,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 3.2A (Ta), 20A (Tc) 2.8W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-PQFN (3x3) | |
| Número de producto base | IRFHM3911 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta), 20A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 6.3A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 35µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 760 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.8W (Ta), 29W (Tc) | |
| Otros nombres | IRFHM3911TRPBF-ND 448-IRFHM3911TRPBFDKR 448-IRFHM3911TRPBFTR SP001575850 448-IRFHM3911TRPBFCT |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
DMN10H120SFG-7Diodes Incorporated
SISS98DN-T1-GE3Vishay Siliconix
FDMC3612onsemi
BSC196N10NSGATMA1Infineon Technologies
PSMN075-100MSEXNexperia USA Inc.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon Technologies- PSMN040-100MSEXNexperia USA Inc.
- BSC160N10NS3GATMA1Infineon Technologies
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon Technologies
ADA4084-1ARJZ-R7Analog Devices Inc.
SI7322ADN-T1-GE3Vishay Siliconix
1N4148W-TPMicro Commercial Co
SSM6K361NU,LFToshiba Semiconductor and Storage
