CSD18509Q5B
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Número de pieza NOVA:
312-2263589-CSD18509Q5B
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
CSD18509Q5B
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 40 V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-VSON-CLIP (5x6) | |
| Número de producto base | CSD18509 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | NexFET™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 32A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 195 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 13900 pF @ 20 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.1W (Ta), 195W (Tc) | |
| Otros nombres | 296-41075-2 296-41075-6 -296-41075-1-ND 296-41075-1 |
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