IRFH5010TRPBF
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Número de pieza NOVA:
312-2288445-IRFH5010TRPBF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRFH5010TRPBF
Embalaje estándar:
4,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 13A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-PQFN (5x6) | |
| Número de producto base | IRFH5010 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 100A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 150µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 98 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4340 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.6W (Ta), 250W (Tc) | |
| Otros nombres | IRFH5010TRPBF-ND IRFH5010TRPBFCT SP001560282 IRFH5010TRPBFDKR IRFH5010TRPBFTR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
AP3783RAK6TR-G1Diodes Incorporated
AD7606BSTZAnalog Devices Inc.
1N4148WTDiotec Semiconductor
SIHU6N65E-GE3Vishay Siliconix
IRLH5030TRPBFInfineon Technologies
XA7Z020-1CLG400QXilinx Inc.
DF06S-TDiodes Incorporated
