SIHD186N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A DPAK
Número de pieza NOVA:
312-2264595-SIHD186N60EF-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SIHD186N60EF-GE3
Embalaje estándar:
50
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-252AA | |
| Número de producto base | SIHD186 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | EF | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 19A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 201mOhm @ 9.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 32 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1118 pF @ 100 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 156W (Tc) |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
SIHD180N60E-GE3Vishay Siliconix
SIHD240N60E-GE3Vishay Siliconix