DMNH6012LK3Q-13

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Diodes Incorporated
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-252-4L
Número de producto base	DMNH6012
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	12mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	35.2 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1926 pF @ 30 V
Disipación de energía (máx.)	2W (Ta)
Otros nombres	DMNH6012LK3Q-13DICT DMNH6012LK3Q-13-ND DMNH6012LK3Q-13DITR DMNH6012LK3Q-13DIDKR

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