IMZA65R083M1HXKSA1

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SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Número de pieza NOVA:

312-2272850-IMZA65R083M1HXKSA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IMZA65R083M1HXKSA1

Embalaje estándar:

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 650 V 26A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-3

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO247-4-3
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Serie	CoolSiC™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	26A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	111mOhm @ 11.2A, 18V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	5.7V @ 3.3mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	19 nC @ 18 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-247-4
Vgs (Máx.)	+20V, -2V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	624 pF @ 400 V
Disipación de energía (máx.)	104W (Tc)
Otros nombres	448-IMZA65R083M1HXKSA1