UF3C120040K4S
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Número de pieza NOVA:
312-2283930-UF3C120040K4S
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
UF3C120040K4S
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-4
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | UnitedSiC | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247-4 | |
| Número de producto base | UF3C120040 | |
| Tecnología | SiCFET (Cascode SiCJFET) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 65A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 12V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 40A, 12V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 6V @ 10mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 43 nC @ 12 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-247-4 | |
| Vgs (Máx.) | ±25V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1500 pF @ 100 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 429W (Tc) | |
| Otros nombres | 2312-UF3C120040K4S |
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