CSD19506KTTT
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
Número de pieza NOVA:
312-2292568-CSD19506KTTT
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
CSD19506KTTT
Embalaje estándar:
50
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 80 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DDPAK/TO-263-3 | |
| Número de producto base | CSD19506 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | NexFET™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 200A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 156 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 80 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 12200 pF @ 40 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 375W (Tc) | |
| Otros nombres | 296-CSD19506KTTTTR 296-CSD19506KTTTDKR CSD19506KTTT-ND 296-CSD19506KTTTCT |
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