STW10NK80Z
MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Número de pieza NOVA:
312-2289733-STW10NK80Z
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
STW10NK80Z
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 800 V 9A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247-3 | |
| Número de producto base | STW10 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | SuperMESH™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 9A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.5V @ 100µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 800 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2180 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 160W (Tc) | |
| Otros nombres | 497-3254-5 497-3254-5-NDR |
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