RQ7G080ATTCR
PCH -40V -8A SMALL SIGNAL POWER
Número de pieza NOVA:
312-2277832-RQ7G080ATTCR
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
RQ7G080ATTCR
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 40 V 8A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TSMT8 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 8A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 18.2mOhm @ 8A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 37 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-SMD, Flat Lead | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2060 pF @ 20 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.1W (Ta) | |
| Otros nombres | 846-RQ7G080ATTCRCT 846-RQ7G080ATTCRTR 846-RQ7G080ATTCRDKR |
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