BSS159NH6906XTSA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Número de pieza NOVA:
312-2264995-BSS159NH6906XTSA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BSS159NH6906XTSA1
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-SOT23 | |
| Número de producto base | BSS159 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | SIPMOS® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 230mA (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 160mA, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.4V @ 26µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 2.9 nC @ 5 V | |
| Función FET | Depletion Mode | |
| Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 44 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 360mW (Ta) | |
| Otros nombres | BSS159N H6906TR-ND BSS159NH6906 BSS159NH6906XTSA1DKR BSS159NH6906XTSA1CT BSS159N H6906-ND BSS159N H6906CT BSS159N H6906 BSS159N H6906DKR-ND SP000702636 BSS159N H6906DKR BSS159NH6906XTSA1TR BSS159N H6906CT-ND |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
DF02S2onsemi
ADR02BRZAnalog Devices Inc.
150353HS74500Würth Elektronik
SSM6J501NU,LFToshiba Semiconductor and Storage
BSS159NH6327XTSA2Infineon Technologies
DN1509K1-GMicrochip Technology- BSS126H6906XTSA1Infineon Technologies
NSR05F40NXT5Gonsemi
WP59EGW/CAKingbright
BSS169H6906XTSA1Infineon Technologies
TZM5235B-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes Division- LND01K1-GMicrochip Technology
