BSC004NE2LS5ATMA1
TRENCH <= 40V
Número de pieza NOVA:
312-2297568-BSC004NE2LS5ATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BSC004NE2LS5ATMA1
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 25 V 40A (Ta), 479A (Tc) 2.5W (Ta), 188W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 40A (Ta), 479A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 0.45mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 10mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 238 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 25 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 11000 pF @ 12.5 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Ta), 188W (Tc) | |
| Otros nombres | 448-BSC004NE2LS5ATMA1TR SP004950304 448-BSC004NE2LS5ATMA1CT 448-BSC004NE2LS5ATMA1DKR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
NVMTS0D4N04CLTXGonsemi
BSC005N03LS5IATMA1Infineon Technologies
SIR500DP-T1-RE3Vishay Siliconix
BSC007N04LS6ATMA1Infineon Technologies
IPT004N03LATMA1Infineon Technologies
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon Technologies
NTMFS0D5N03CT1Gonsemi- NTMTS0D6N04CLTXGonsemi
BSC005N03LS5ATMA1Infineon Technologies
CSD16570Q5BTexas Instruments
