CSD18512Q5BT

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Texas Instruments
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-VSON-CLIP (5x6)
Número de producto base	CSD18512
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	NexFET™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	211A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	1.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	98 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	7120 pF @ 20 V
Disipación de energía (máx.)	139W (Tc)
Otros nombres	296-CSD18512Q5BTCT CSD18512Q5BT-ND 2156-CSD18512Q5BT TEXTISCSD18512Q5BT 296-CSD18512Q5BTDKR 296-CSD18512Q5BTTR

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