TSM600N25ECH C5G
MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251
Número de pieza NOVA:
312-2274974-TSM600N25ECH C5G
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TSM600N25ECH C5G
Embalaje estándar:
3,750
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 250 V 8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-251 (IPAK) | |
| Número de producto base | TSM600 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 8.4 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 250 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 423 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 52W (Tc) | |
| Otros nombres | TSM600N25ECHC5G TSM600N25ECH C5G-ND |
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